Модуль Toshiba GTR Silicon N Channel IGBT MG150Q2YS50 MG150Q2YS50 Применение коммутации высокой мощности.
Это сборка силовых элементов преобразователя частоты на основе IGBT транзисторов. Схема модуля MG150Q2YS50 показана на рисунке. На многослойной подложке собраны полупроводниковые ключи выпрямителя, управляющие нагрузкой на выходе инвертора. Также в состав модуля может входить: датчик температуры, транзистор тормозного прерывателя и схема управления ключами. Модуль IGBT - это основной элемент силовой части ПЧ.
Характеристики Модуля IGBT MG150Q2YS50
* Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В;
* Максимальный продолжительный ток: 150А;
* Рассеиваемая мощность коллектора: 1250Вт;
* Габариты: 94х48х29 мм;
* Используется в моделях ПЧ: Веспер EI-7-9011-040H, EI-7-9011-050H;
* Транзисторный ключ для тормозного резистора: есть;
* Возможный аналог: нет